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MOSFET
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| 型号： | CSD87330Q3D | 商品类别： | 晶体管 - FET、MOSFET | ROHS： |  |
| 商品品牌： | VDRIVE2 | 封装/规格： | 8-PowerLDFN | 库存数量： | 381PCS |
| 商品详情： | CSD87330Q3D是晶体管 - FET、MOSFET的一种，由Texas Instruments设计和生产。 Texas Instruments生产的CSD87330Q3D可以在配齐芯城网站上购买。在这里您可以找到来自全世界领先制造商的各种类型电子零件。配齐芯城的CSD87330Q3D经过严格的质量控制，并满足所有要求。 配齐芯城上标注的库存状态仅供参考。如果您没有找到您要找的零件，可以联系我们获得更多信息。例如CSD87330Q3D 库存数量,Datasheet（PDF）优惠价格和制造商。 | ||||
| 参数 | 参数值 |
|---|---|
|
制造商
|
VDRIVE2
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产品种类
|
MOSFET
|
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RoHS
|
是
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技术
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Si
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安装风格
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SMD/SMT
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封装 / 箱体
|
LSON-CLIP-8
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通道数量
|
2 Channel
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晶体管极性
|
N-Channel
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Vds-漏源极击穿电压
|
30 V
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Id-连续漏极电流
|
20 A
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Vgs th-栅源极阈值电压
|
1 V, 750 mV
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Vgs - 栅极-源极电压
|
10 V
|
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Qg-栅极电荷
|
4.8 nC, 9.6 nC
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|
最小工作温度
|
- 55 C
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|
最大工作温度
|
+ 150 C
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|
Pd-功率耗散
|
6 W
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配置
|
Dual
|
|
通道模式
|
Enhancement
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商标名
|
NexFET
|
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封装
|
Cut Tape
|
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封装
|
MouseReel
|
|
封装
|
Reel
|
|
高度
|
1.5 mm
|
|
长度
|
3.3 mm
|
|
系列
|
CSD87330Q3D
|
|
晶体管类型
|
2 N-Channel
|
|
宽度
|
3.3 mm
|
|
商标
|
VDRIVE2
|
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正向跨导 - 最小值
|
76 S, 51 S
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|
开发套件
|
EVMK2GXS, EVMK2G, EVMK2GX
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|
下降时间
|
1.7 ns, 1.6 ns
|
|
产品类型
|
MOSFET
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|
上升时间
|
6.8 ns, 7.5 ns
|
|
工厂包装数量
|
2500
|
|
子类别
|
MOSFETs
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|
典型关闭延迟时间
|
9.4 ns, 9.1 ns
|
|
典型接通延迟时间
|
4.5 ns, 4.5 ns
|
|
单位重量
|
68 mg
|
CSD87351ZQ5D
Texas Instruments
晶体管 - FET、MOSFET
CSD86311W1723
Texas Instruments
晶体管 - FET、MOSFET
CSD85302L
Texas Instruments
晶体管 - FET、MOSFET
CSD88539NDT
Texas Instruments
晶体管 - FET、MOSFET
CSD85301Q2T
Texas Instruments
晶体管 - FET、MOSFET
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